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SIHU7N60E-GE3 |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | Vishay Siliconix | 6168 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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SIHU7N60E-GE3参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N CH 600V 7A TO-251 包装数量：3000 包装形式：散装 PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压 (Vdss)：600V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：7A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：600 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：680pF @ 100V 功率 - 最大值：78W 安装类型：通孔 |
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热门型号： 微调器，可变GAJ12000 单二极管/整流器RS1GB-13-F 薄膜电容器B25620B357K881 仪表 - 面板，模R3S-AVC-150-U 芯片电阻 - 表面ERJ-12ZYJ120U AC DC 转换器BP5037B15 配件M16-W-T1 旋钮OESL-50-3-7 触摸KT11B0SAM33 电源输入 - 模块FN321-3-01 |
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